[信息类] 国际固态电路研讨会：英特尔谈22nm低功耗图形处理核心[1P]

fiendgreed

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1楼大中小发表于 2014-2-10 17:56 只看该作者

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国际固态电路研讨会：英特尔谈22nm低功耗图形处理核心[1P]

在刚刚召开的“国际固态电路研讨会(ISSCC)”上，英特尔实验室(Intel Labs)借机向大家分享了一些该公司“臭鼬项目部门”(skunkworks division)长期以来的工作内容——其中便包括基于22纳米制程打造的低功耗图形处理核心。

根据文字描述和相当可观的电效率，推测该产品应该是面向移动和手持式设备的。英特尔声称，其近阈电压操作(near-threshold voltage operation)的“每瓦G-Flops”增长了2.7x、峰值每瓦G-Flops也增长了1.4x(几乎是低电压时的最佳情景案例了)。

相较于其它移动解决方案，这种优势还会被英特尔的制造工艺优势进一步拉大。英特尔采用的22nm工艺，而业界大部分还停留在28nm。

此外，与竞争对手不同的是，Intel早已迁移至FinFETs(或曰“三闸晶体管”)——足以进一步提高能源效率。

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